光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家

德國(guó)YXLON多用途高分辨率CT系統(tǒng)
德國(guó)yxlon多用途高分辨率ct系統(tǒng)ff35 ct,微焦點(diǎn)、納米焦點(diǎn)雙射線 源配置,大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置,可大限度提高 ct 應(yīng)用 多功能性
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó)Trion批量生產(chǎn)用設(shè)備去膠系統(tǒng)
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統(tǒng)· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統(tǒng),通過全方位的設(shè)計(jì)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)便的操作,更快的刻寫速度,更小的占地面積和安裝空間,并且更加綠色節(jié)能。
更新時(shí)間:2025-01-14
英國(guó)Nanobean 電子束光刻機(jī)
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-01-14
美Coherent 準(zhǔn)分子激光器
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2025-01-14
英國(guó) Durham 無掩膜光刻機(jī)
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng),擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚,從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作,非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó) OAI 光功率計(jì)
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó) OAI 型UV光源
30型uv光源是高效的,可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上,以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸,最大24英寸平方,輸出光譜范圍從220 nm到450 nm,使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ。輸出功率范圍?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件,使用戶能夠輕松定制輸出光譜?蛇x配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó) OAI 實(shí)驗(yàn)室用手動(dòng)曝光機(jī)
oai 200型光刻機(jī)是一種具有成本效益的高性能掩模對(duì)準(zhǔn)器,采用經(jīng)過行業(yè)驗(yàn)證的組件,使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺(tái)式面罩對(duì)準(zhǔn)器,需要小的潔凈室空間。它為研發(fā),或有限規(guī)模,試點(diǎn)生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調(diào)平系統(tǒng),襯底快速平穩(wěn)地平整,用于平行光掩模對(duì)準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度。
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó) OAI 型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片,該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn),從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó) OAI 光刻機(jī) Model  200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)
美國(guó) oai 光刻機(jī) model 200 型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng),完全手工操作,輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線,hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó)OAI紫外光刻機(jī)
oai model 212型桌面掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó)OAI掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
oai model 800e 型掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),各種光譜范圍選項(xiàng):hg燈:g(436nm),h(405nm), i(365nm)和310nm線,hg-xe燈:260nm和220nm
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó)OAI紫外光刻機(jī)
oai 掩膜光刻機(jī) model 6000型,高吞吐量180 wph,靈活處理基板從2“平方到12”平方
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó)OAI紫外光刻機(jī)
oai的面板掩模光刻機(jī) model 6020s, 用于foplp型號(hào)6020s -半自動(dòng)化或自動(dòng)化,實(shí)現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時(shí)間:2025-01-14
離子束刻蝕系統(tǒng)
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng),nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng),通過加速的 ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對(duì)于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時(shí)間:2025-01-14
納米壓痕儀
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學(xué)研究進(jìn)入更高階段,同時(shí)具有高的性能、靈活性、可信度、實(shí)用性和速度。基于海思創(chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新,它為納米力學(xué)表征帶來了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達(dá)到了臺(tái)優(yōu)異納米力學(xué)測(cè)試儀
更新時(shí)間:2025-01-14
全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡
echo pro 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤和框架直接掃瞄, 編程自動(dòng)判別缺陷, 高產(chǎn)量,無需人員重復(fù)設(shè)置, 自動(dòng)烘干.
更新時(shí)間:2025-01-14
日本Elionix微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)
日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)els-f125,是elionix推出的上臺(tái)加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng),其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
更新時(shí)間:2025-01-14
日本Elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng)
日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時(shí)間:2025-01-14
日本Elionix電子束光刻機(jī)
els-boden 新型電子束光刻系統(tǒng),高速掃描400mhz頻率生產(chǎn)
更新時(shí)間:2025-01-14
海德堡桌面無掩模光刻機(jī)
日本電子 jsm-7610fplus,用于納米科學(xué)的肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡, 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機(jī)
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)海德堡 激光直寫光刻機(jī)
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟(jì)效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫模塊,實(shí)現(xiàn)不同精度直寫需求, 能于結(jié)構(gòu)上進(jìn)行灰度曝光
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)海德堡 Heidelberg 激光直寫光刻機(jī)
德國(guó)海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機(jī) mla150,德國(guó)高精密激光直寫繪圖機(jī),非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)MBE-Komponenten 分子束外延系統(tǒng)
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔,可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)Leica 全新精研一體機(jī)
德國(guó)leica em txp全新精研一體機(jī),是一款獨(dú)特的可對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具,特別適合于sem,tem及l(fā)m觀察之對(duì)樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品,如需要對(duì)目標(biāo)精細(xì)定位或需對(duì)肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點(diǎn)處理。
更新時(shí)間:2025-01-14
基恩士KEYENCE形狀測(cè)量激光顯微系統(tǒng)
keyence 基恩士 形狀測(cè)量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000,納米 / 微米 / 毫米,一臺(tái)即可完成測(cè)量。292 種分析工具,一臺(tái)即可了解希望獲取的信息。一臺(tái)即包含了光學(xué)顯微鏡,臺(tái)階儀,光學(xué)輪廓儀,及電鏡功能。
更新時(shí)間:2025-01-14
奧地利SmartNIL紫外納米壓印
奧地利smartnil紫外納米壓。篹vg7200,leds 制作,led pss納米壓印工藝,led納米透鏡陣列;微流體學(xué);芯片實(shí)驗(yàn)室;抗反射層; 納米壓印光柵; 蓮花效應(yīng);光子帶隙;光學(xué)及通訊:光晶體,激光器件;生物技術(shù)解決方案:醫(yī)藥分析,血液分析,細(xì)胞生長(zhǎng)。
更新時(shí)間:2025-01-14
奧地利EVG掩膜光刻機(jī)
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝,例如:真空、軟、硬接觸和接近曝光;也支持其他特殊的應(yīng)用,如鍵合對(duì)準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡(jiǎn)便快捷,每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成,而不需要門的工程人員和培訓(xùn),非常適合大學(xué)、研究所的科研實(shí)驗(yàn)和小批量生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-01-14
奧地利EVG鍵合機(jī)
奧地利evg鍵合機(jī):evg510,是一款半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理大200mm的晶圓,非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動(dòng)工藝處理過程,并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計(jì)可用于150mm或200mm晶圓鍵合,并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配,可以方便的實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時(shí)間:2025-01-14
奧地利EVG鍵合機(jī)
evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng), 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is,配備了evg公司的利吸盤設(shè)計(jì)---這種吸盤可以提供對(duì)稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢(shì)特性,如獨(dú)立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等,都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-01-14
奧地利EVG單雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能)
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能),evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備,可配置為半自動(dòng)也可以為全自動(dòng)形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對(duì)準(zhǔn)設(shè)備;既可以用作研發(fā)設(shè)備,也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時(shí)間:2025-01-14
日本Ulvac干法等離子刻蝕裝置
ne-550z是高真空load-lock式干法等離子刻蝕裝置,適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時(shí)間:2025-01-14
日本Ulvac返回式真空濺射裝置
返回式真空濺射裝置 cs-200z,高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó)Neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)
美國(guó)neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時(shí)間:2025-01-14
氮化鎵支撐片,晶片,硅片
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時(shí)間:2025-01-14
法國(guó)Annealsys 高溫退火爐
法國(guó)annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備,適用于硅,化合物半導(dǎo)體,太陽能電池& mems.
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)MBE-Komponenten 分子束外延系統(tǒng)
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測(cè)試范圍,可測(cè)試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng),非常適合于iii/v族, ii/vi族,及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計(jì),可以裝配各種源爐,實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長(zhǎng)。
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)UnitemP真空快速退火爐
德國(guó)unitemp真空快速退火爐rtp-150, 單晶圓,150mm,快升溫速率可達(dá)150k/s
更新時(shí)間:2025-01-14
奧地利EVG紫外納米壓印系統(tǒng)
evg的hercules nil 300 mm是一個(gè)完全集成的納米壓印系統(tǒng),是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺(tái),在單個(gè)平臺(tái)上將清洗模塊,抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓。╪il)模塊結(jié)合在一起,用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時(shí)間:2025-01-14
奧地利EVG紫外納米壓印系統(tǒng)
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動(dòng)納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時(shí)間:2025-01-14
Rion 液體光學(xué)顆粒度儀
液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42c,寬廣的測(cè)試范圍,可測(cè)試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-01-14
美國(guó) Lakeshore 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)
美國(guó) lakeshore 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) 8600系列:model 8604, model 8607, 更科學(xué),更高效
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)YXLON 定制化的標(biāo)準(zhǔn)X射線檢測(cè)系統(tǒng)
德國(guó)yxlon 定制化的標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cheetah evo,為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制、
更新時(shí)間:2025-01-14
德國(guó)YXLON 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)X射線檢測(cè)系統(tǒng)
德國(guó)yxlon 定制化的緊湊型標(biāo)準(zhǔn)x射線檢測(cè)系統(tǒng)cougar evo ,為封裝檢測(cè)、半導(dǎo)體及實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用量身定制
更新時(shí)間:2025-01-14
韓ECOPIA變溫光霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
韓ecopia 變溫光霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 hms-7000,可以通過改變照射在樣品上的不同波長(zhǎng)范圍的光源(紅、綠、藍(lán)光源), 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等半導(dǎo)體電學(xué)重要參數(shù)隨光源強(qiáng)度變化的曲線。
更新時(shí)間:2025-01-14
日本RION光遮蔽粒子計(jì)數(shù)器
日本rion光遮蔽粒子計(jì)數(shù)器 kl-05,(光滲透法),可測(cè)試粒徑范圍:1~20個(gè)通道范圍,1.3μm~100(0.1μm的間隔)大粒子數(shù)濃度:10 000 顆/l (誤差值低于10%)
更新時(shí)間:2025-01-14
日本RION液體光學(xué)顆粒度儀
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀:ks-93( 光散射法),大粒子數(shù)濃度:30 000 顆/l (誤差值低于5%),粒徑范圍(5個(gè)通道):≥0.1μm, ≥0.15μm , ≥0.2μm , ≥0.3μm, ≥0.5μm, ≥25μm
更新時(shí)間:2025-01-14
日本RION粒子計(jì)數(shù)器
日本rion粒子計(jì)數(shù)器:kc-22a ( 光散射法),大粒子數(shù)濃度:10000顆/l (誤差值低于5%),可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-01-14
日本RION粒子計(jì)數(shù)器
日本rion粒子計(jì)數(shù)器:kc-22b ( 光散射法),液體粒子計(jì)數(shù)器,可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2025-01-14
日本RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器kc-31 ( 光散射法),測(cè)試粒徑(6個(gè)通道),大粒子數(shù)濃度:28000000 顆/l
更新時(shí)間:2025-01-14

最新產(chǎn)品

熱門儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計(jì) 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗(yàn)機(jī) 酸度計(jì)(PH計(jì)) 離心機(jī) 高速離心機(jī) 冷凍離心機(jī) 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑